一. 征稿说明 （点击下载征稿启事）
1. 征稿截止日期：2023年12月15日
2. 录用通知时间：2024年01月15日
3. 会议官方语言为英语，只接受英文论文，投稿者务必用英语撰写论文。
4. 请根据ICCED会议论文集的格式模板编辑您的文章（模板下载)
5. 文章不能少于5页，文章超过5页的部分将收取超页费用。
6. 投稿方式：
1）将文章上传到电子投稿系统（点击获得链接）
2）如果您不能通过投稿系统投稿，请将您的文章发送到会议官方邮箱：icced@asr.org 

7.  征稿主题请参考： (了解更多)

二. 注册说明
被录用的文章会被要求在规定的日期前注册，每篇文章要求至少有一个作者注册并参会做报告，录用通知里面将附有详细的注册指导步骤。
没有文章和报告的参会者以及同行的合著作者可以注册为听众的形式参会 (阅读更多)

三. 出版和检索说明
会议收录的文章将以special chapter的形式出版到ICCSS 2024会议论文集并提交EI核心以及Scopus检索。 文章作者将被邀请参会做报告。

会后，将会从录用文章中选取部分主题符合的文章，经至少40%的内容扩充后，推荐出版到IEEE Transaction on Electron Devices。期刊信息如下：

ISSN: 0018-9383

Impact Factor: 2.913

Abstracted and indexed in: Science Citation Index, Science Citation Index Expanded, etc.

	经过组委会严密精选，以下两篇文章脱颖而出，被选入并成功发表在IEEE Transaction on Electron Devices上! 这两篇文章的具体信息如下:
	High-Performance Carbon Nanodots/Graphene Heterojunction Solar-Blind Ultraviolet Photodetector via Vertical Structure Authors: Taihao Chen; Shipeng Lin; Yong Fang; Zhiwei Zhao 已被SCI和Ei核心检索
	Enhancement of Thermal Characteristics and On-Current in GAA MOSFET by Utilizing Al2O3 -Based Dual- κ Spacer Structure Authors: Young Suh Song; Sangwan Kim; Jang Hyun Kim; Garam Kim; Jong-Ho Lee; Woo Young Choi 已被SCI和Ei核心检索

●ICCED 2022被录用的文章已以special chapter的形式出版到ICCSS 2022会议论文集，已被IEEE Xplore收录, 并被EI核心以及Scopus检索。(由于2022年新冠疫情持续，ICCED 2022会议改为全线上召开)

●ICCED 2021被录用的文章已以special chapter的形式出版到ICCSS 2021会议论文集，已被IEEE Xplore收录, 并已经被EI核心以及Scopus检索。(由于2020年新冠疫情，ICCED 2020会议延期至2021年召开)

●ICCED 2019被录用的文章已以special chapter的形式出版到ICCSS 2019会议论文集，并已被IEEE Xplore收录以及EI 核心检索和Scopus检索。

●ICCED 2018被录用的文章已以special chapter的形式出版到ICCSS 2018会议论文集，并已被IEEE Xplore收录以及EI 核心检索。

● ICCED 2017 会议论文集已经被 IEEE Xplore 收录，并已经被EI Compendex 和Scopus检索。

四. 会议地址: (了解更多)

五. 会议日程 （了解更多）

六. 联系我们
想了解 ICCED 2024会议的更多信息，或您有好的建议，欢迎联系我们。

联系人：马老师
电话： 18008065167（周一到周五，10:00-17:30）
Email:  icced@asr.org

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